Топологии интегральных микросхем (ТИМС) в последние годы активно создаются и регистрируются ведущими российскими технологическими предприятиями. Для большинства неспециалистов эти объекты представляются чем-то сложным из космической сферы. В нашей статье мы приоткроем завесу тайны и подробно расскажем о ТИМСах, основных игроках и технологических стандартах.
Много ли их регистрируют?
Мы решили подробно проанализировать свидетельства за 2025 год (8 мес.).
Динамика регистраций ТИМС в 2020-2025 гг. представлена в табл. 1
Таблица 1: Динамика регистраций ТИМС в 2020-2025 гг., ед.
| Год | Россияне | Иностранцы | Всего |
| 2020 | 247 | 14 | 261 |
| 2021 | 189 | 12 | 201 |
| 2022 | 193 | 17 | 210 |
| 2023 | 269 | 5 | 274 |
| 2024 | 260 | 26 | 286 |
| 2025 (8 мес.) | 295 | 4* | 297 |
| Итого 2020-2025 (8 мес.) | 1453 | 78 | 1529 |
*все ОАО «Интеграл» - управляющая компания холдинга «Интеграл» (Беларусь)
Источник: автор на основе данных Роспатент
Во-первых, поражает диапазон используемых технологических норм от 28 нм до 3,0 мкм, то есть более чем 2 порядка математических величин. Промежуточными были нормы 40; 110; 130; 180; 240; 350; 450; 500; 607; 800; 1600 и 2000 нм.
Во-вторых, в ряде ТИМС указывается источник финансирования, например, изготовление микросхем было выполнено за счет средств Минобрнауки России в рамках федерального проекта «Подготовка кадров и научного фундамента для электронной промышленности» по гос. заданию на выполнение НИР «Разработка методики прототипирования электронной компонентной базы на отечественных микроэлектронных производствах на основе сервиса MPW (FSMR-2023-0008)»; по договору ФСИ; по субсидии на финансовое обеспечение части затрат на создание научно-технического задела по разработке базовых технологий производства приоритетных электронных компонентов и радиоэлектронной аппаратуры» с Департаментом радиоэлектронной промышленности Министерства промышленности и торговли РФ; в рамках проекта Редут 70-2025-000656 от 27.05.2025.
В-третьих, по принципу действия ТИМС были цифровые и аналоговые (и преобразователи ЦАП и АЦП), полупроводниковые, фотонные и фотоэлектрические.
В-четвёртых, имеются единичные случаи оформления лицензий. Например, вид договора: лицензионный. Лицо, предоставляющее право использования: Российская Федерация, от имени которой выступает Фонд перспективных исследований. Правообладатель (правопреемник): АО «Дизайн Центр «Союз». Дата и номер государственной регистрации договора: 18.07.2025 РД0511086. Условия договора: сроком на 3 года.
В-пятых, иногда указывают изготовителя ТИМС, например АО «Микрон», фабрика TSMC (Тайвань).
Наконец, ТИМС охватывают широкий набор конечных пользователей – промпредприятия с их АСУ ТП, макро электроника для энергетики и машин и механизмов, связь (линейная, радио, мобильная, телекоммуникационная), системы досмотра, визуализации и обработки видеоинформации, SIM-карты, ПАКи, профессиональные персональные компьютеры, серверы для систем хранения данных, системы искусственного интеллекта. Некоторые устройства предназначены для многих областей, например авиационная электроника, космическая техника, системы управления специального назначения, бортовые вычислительные машины, аппаратура, требующая высокой надежности в широком температурном диапазоне.
Правообладатели
Полный список за 2025 год правообладателей составил 54 юр. лиц и 5 индивидуалов (Когай Алексей Владимирович, Корнев Сергей Александрович, Лоос Владислав Витальевич, Торхов Николай Анатольевич и Шимановская Анна Александровна). Топ-10 в порядке убывания представлен в табл. 2.
Таблица 2: Топ-10 правообладателей по количеству ТИМС в 2025 г. (за 8 мес.)
| Правообладатель | Нормы, нм | Кол-во |
| АО «Новосибирский завод полупроводниковых приборов Восток» | 180; 2000 и 3000 | 36 |
| АО «Дизайн Центр «Союз» | 180 | 21 |
| АО «ПКК Миландр» | 450 | 20 |
| ООО «Центр инновационных разработок BAO» | … | 18 |
| АО «Конструкторское Бюро «Фарватер» | … | 14 |
| ООО «НМ-ТЕХ» | … | 13 |
| Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники | 180 и 500 | 13 |
| АО «Группа Кремний ЭЛ» | … | 12 |
| ООО «Инновационно-промышленная компания электронного машиностроения» | 130 | 12 |
| АО «Научно-исследовательский институт микроэлектронной аппаратуры «Прогресс» | 130 и 180 | 11 |
Источник: автор на основе данных Роспатент
АО «НЗПП «Восток» – ведущий разработчик и производитель интегральных схем, операционных усилителей, полупроводниковых приборов, фотоприемных устройств и датчиков, 75 лет в работе. Он входит в группу компаний «Элемент», которая является крупнейшим разработчиком и производителем микроэлектроники в России, работающим над достижением технологического суверенитета страны. В активе 1200 наименований продукции, 800+ заказчиков. Основные направления – силовая электроника, вычислительная техника, связь и навигация. В 2020 году на АО «НЗПП Восток» стартовала программа модернизации и технического перевооружения предприятия. Она рассчитана до 2030 года и предполагает строительство новых производственных мощностей для выпуска передовой микроэлектронной продукции.
АО «Дизайн Центр “Союз”» (Зеленоград) создан в 2015 г. Основным направлением деятельности является разработка интегральных микросхем, в том числе на основе аналого-цифровых базовых матричных кристаллов (АЦ БМК) и программируемых пользователем схем. Компания осуществляет полный цикл сборки интегральных микросхем собственной разработки с использованием отечественных полупроводниковых пластин и кристаллов. Линейка продукции включает АЦП и ЦАП, микроконтроллеры, усилители и компараторы, системы управления электропитанием, аналоговые ключи и мультиплексоры. Среди новинок привлекают внимание особенности 18-разрядного АЦП последовательного приближения 5400ТР045А-049.
АО «ПКК Миландр» (Зеленоград) создано в 1993 г. Специализация компании – разработка и производство изделий микроэлектроники (микроконтроллеры, микропроцессоры, микросхемы памяти, микросхемы приемопередатчиков, микросхемы преобразователей напряжения, радиочастотные схемы), универсальных электронных модулей и приборов промышленного и коммерческого назначения. В течение последних десяти лет «Миландром» выполнено более 290 опытно-конструкторских работ в интересах аппаратурных промышленных предприятий. Разработано и доведено до серийного выпуска порядка 200 типономиналов интегральных микросхем. Основными потребителями изделий под маркой «Миландр» являются российские приборостроительные предприятия - изготовители аппаратуры связи, радиотехнических систем, бортовых вычислителей и систем телеметрии.
ООО «Центр инновационных разработок BAO» (Москва) создан в 2012 г. Он специализируется на СВЧ-электронике для связи, телекоммуникаций и радиолокации. В частности, разработаны схемы и блоки на основе кремния, кремний-германия, арсенида галлия. Примеры микросхем на основе GaAs:
- Монолитная интегральная схема трёхкаскадного усилителя мощности С-диапазона на основе GaAs pHEMT 0,5 мкм с интегральным датчиком температуры и детектором мощности;
- Комплект двухкаскадных и трёхкаскадных усилителей мощности мм-го диапазона на основе GaAs pHEMT 0,15 мкм.
АО «Конструкторское Бюро «Фарватер» создано в 2011 г. Предприятие специализируется на разработке аппаратно-программных блоков и модулей в области радиоэлектронной, волоконно-оптической и радиофотонной аппаратуры, а также измерительных приборов с изготовлением опытных и серийных образцов.
В частности, в области оптоэлектроники преобразователь ЭОП/ОЭП FPXI-2512 предназначен для электрооптического и оптоэлектрического преобразования радиосигнала частотой 120 МГц со сверхнизким СПМФШ в составе измерительных комплексов на основе модулей стандарта PXI.
ООО «НМ-ТЕХ» (Зеленоград) создано в 2019 г., резидент особой экономической зоны «Технополис Москва». Специализация – банковские карты и биометрические документы. В 2025 г. начато 4 новых проекта по производству чипов для сим-карт, загранпаспортов, банковских и транспортных карт и токенов электронных подписей.
Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники при создании в 1962 г. назывался Институт радиоэлектроники и электронной техники (ТИРиЭТ). В 1993 г. институт вновь переименовывается, но уже в государственную академию систем управления и радиоэлектроники (ТАСУР), а затем в 1997 г. в университет систем управления и радиоэлектроники (ТУСУР). Разработки ТИМС касаются переключателей аттенюаторов, смесителей, усилителей, переключателей и др. устройств, в том числе на базе 0,5 мкм GAAS pНЕМТ и на основе 180 нм КМОП-технологии. ТИМСы разработаны в 2025 г. в рамках государственного задания при финансовой поддержке Министерства науки и высшего образования РФ.
АО «Группа Кремний ЭЛ» (Брянск) – одно из крупнейших предприятий микроэлектроники России, на котором трудится более 1,7 тыс. человек. Свыше 1500 типономиналов продукции поставляется 815 клиентам-предприятиям. В 2021 г. объем товарной продукции составил 3,9 млрд рублей (потом бухотчётность не публиковалась). За последние годы завод освоил и запустил серийное производство силовых модулей, изделий по БиКДМОП технологии, диодов Шоттки на карбиде кремния и др. Объем вложений в приобретение технологического оборудования и разработку новых изделий за последние 10 лет превысил 3 млрд. руб. Это и заводские средства, и федеральные деньги, полученные в рамках программ по созданию инновационных продуктов и импортозамещению, а также льготный займ ФРП (200 млн руб., 2017 г.). В 2021 г. предприятие победило в конкурсах на получение субсидии Минпромторга РФ на разработку технологии изготовления КСДИ на основе «тренч»-технологии (400 млн руб. на 3 года) и на разработку серии современных микросхем в малогабаритных корпусах и безвыводных корпусах типа QFN (1,4 млрд руб. на 8 лет).
ООО «Инновационно-промышленная компания электронного машиностроения» (Зеленоград) выделилось от материнской компании «Электрон-Маш» в 2024 году для инновационной СВЧ-техники по следующим направлениям:
- преобразователи частоты,
- усилители мощности,
- генераторы, управляемые напряжением,
- мощные пассивные СВЧ-устройства,
- лабораторные усилители.
ТИМСы в 2025 г. касались МШУ, ОЗУ, АЦП, коммутаторов, контроллеров.
АО «Научно-исследовательский институт микроэлектронной аппаратуры «Прогресс» (Москва) ведущий дизайн-центр РФ по разработке специализированной микроэлектронной элементной базы, участник и головной исполнитель по ряду государственных программ, межотраслевой центр проектирования СБИС типа «Система на Кристалле», разработчик и производитель ГЛОНАСС/GPS навигационных приемников, микроэлектронной аппаратуры.
Тематика ТИМС – радиационно-стойкий программируемый сверхширокополосный СВЧ генератор, квадратурный демодулятор, Core-Chip.
Технологические нормы ТИМС
Технологические нормы производства ТИМС в рефератах указывается только примерно в половине случаев. В 148 документах данные присутствуют. Распределение представлено на рис. 1.
Рисунок 1: Распределение ТИМС по технологическим нормам в 2025 г., ед.
Видно 2 пика популярности – 180 нм и 3 мкм. По видимому, эти две технологические нормы хорошо освоены производственниками в РФ и способны эффективно использоваться и в наши дни.
Технорма «28»
Рефераты ТИМС по технологической норме 28 нм приведены в табл. 3. Около половины ТИМС разработаны в Научно-исследовательском институте системных исследований Национального исследовательского центра «Курчатовский институт», треть – под эгидой Фонда перспективных исследований.
НИИСИ был сформирован в 1989 году на базе двух лабораторий Института автоматизации проектирования АН ССС. Инициатором его создания стал вице-президент Академии, директор Курчатовского института (сейчас – почетный президент) Е.П. Велихов. В основу деятельности института была положена концепция решения сложных прикладных проблем на базе сочетания методов фундаментальной и прикладной математики и методов практической работы на ЭВМ. В институте занимаются комплексным решением проблем в области нанотехнологий, информационных и телекоммуникационных технологий, вычислительных систем, физики и информатики, включая фундаментальные и прикладные научные исследования. Действует производство СБИС на собственной микроэлектронной фабрике. В 2023 г. Распоряжением Правительства Российской Федерации от 7 февраля 2023 г. № 268-р институт вошел в состав Национального исследовательского центра «Курчатовский институт».
АО «Крафтвэй Корпорэйшн ПЛС» (Обнинск) – одна из крупнейших российских производственно-инжиниринговых компаний, действующая на рынке с 1993 года и занимающаяся разработкой и производством доверенных платформ с интегрированными средствами защиты информации, созданием на их основе программно-аппаратных комплексов, адаптированных под нужды заказчиков, а также внедрением инфраструктурных решений.
Ещё одна ТИМС разработана в ООО «Мегаполис-Телеком Регион» (Иркутск), которая с 2009 г. является производителем профессиональных персональных компьютеров и серверов для систем хранения данных, систем искусственного интеллекта в России.
Таблица 3: ТИМС по технологической норме 28 нм в 2025 г. (8 мес.)
| № | Название | Правообладатель | Реферат |
|---|---|---|---|
| 2025630118 | Топология кристалла микросхемы контроллера сетевого 1G/10G Ethernet Крафтвэй К1942ВГ4Я | АО «Крафтвэй Корпорэйшн ПЛС» (Обнинск) | Микросхема сетевого контроллера Ethernet с реализацией встроенного маршрутизируемого протокола создания безопасного соединения с криптографическим преобразованием с пропускной способностью до 20 Гбит/сек в полнодуплексном режиме. Предназначена для обеспечения передачи сетевого трафика по открытым и защищенным проводным каналам связи в сетях Ethernet. Изготавливается по технологии КМОП с проектными нормами 0,028 мкм. Область применения: сетевые адаптеры, вычислительные комплексы, серверные платформы. Содержит: 64-разрядный процессор RISC-V; контроллер интерфейса PCI Express 4.0; контроллер интерфейса 10G Ethernet; контроллер внешней памяти HyperRAM; контроллер интерфейса QSPI; контроллер интерфейса UART; отладочный интерфейс JTAG. Напряжение питания 0,9/1,8 В; размер кристалла 8,75 × 8,81 мм. |
| 2025630007 | Сложно-функциональный блок автоподстройки задержки по двум каналам с разрядностью управляющего кода 8 бит по технологии КМОП 28 нм | Научно-исследовательский институт системных исследований Национального исследовательского центра «Курчатовский институт» | Топология представляет собой систему автоподстройки задержки входных сигналов по двум каналам ведомых (slave) устройств с поддержкой шунтирующего (bypass) режима с разрядностью управляющего кода 8 бит. Система фазовой синхронизации осуществляет автоподстройку по тактовому сигналу, формируя задержку выходных сигналов двух ведомых устройств, равной 1/4 такта входного синхросигнала для каждого slave. В bypass режиме значение задержки задаётся программно. Блок спроектирован для использования в приемной и передающей части физических уровней высокопроизводительных протоколов, включая сложно-функциональные блоки физического уровня для взаимодействия с памятью DDR3, DDR4 произвольной разрядности. Блок выполнен по объемной КМОП технологии с проектной нормой 28 нм с использованием пяти уровней металлизации. Напряжение питания 1,0 В. Диапазон рабочих температур от минус 40 °С до 125 °С. |
| 2025630008 | Сложно-функциональный блок автоподстройки задержки канала с разрядностью управляющего кода 8 бит по технологии КМОП 28 нм | Научно-исследовательский институт системных исследований Национального исследовательского центра «Курчатовский институт» | Топология представляет собой систему автоподстройки задержки входного сигнала ведомого (slave) устройства с поддержкой шунтирующего (bypass) режима с разрядностью управляющего кода 8 бит. Система фазовой синхронизации осуществляет автоподстройку по тактовому сигналу, формируя задержку выходного сигнала ведомого устройства, равной 1/4 такта входного синхросигнала. В bypass режиме значение задержки задаётся программно. Блок спроектирован для использования в приемной и передающей части физических уровней высокопроизводительных протоколов, включая сложно-функциональные блоки физического уровня для взаимодействия с памятью DDR3, DDR4 произвольной разрядности. Блок выполнен по объемной КМОП технологии с проектной нормой 28 нм с использованием пяти уровней металлизации. Напряжение питания 1,0 В. Диапазон рабочих температур от минус 40 °С до 125 °С. |
| 2025630116 | Четырехканальный 12-разрядный аналого-цифровой преобразователь последовательного приближения с частотой дискретизации 125МВыб/с по технологии КМОП 28нм | Научно-исследовательский институт системных исследований Национального исследовательского центра «Курчатовский институт» | Сложнофункциональный блок для встроенного применения, со встроенной электростатической защитой, имеющий в своем составе четыре аналогоцифровых преобразователя (АЦП) и один общий источник опорного напряжения (ИОН). Каждый из четырех каналов АЦП реализован как преобразователь последовательного приближения с разрядностью 12 бит. Максимальная частота дискретизации одного канала 125 МВыб/с. Во всем входном частотном диапазоне вплоть до частоты Найквиста типичное значение отношения сигнал/шум, включая гармоники (SINAD), 64,3дБ@125МВыб/с, типичное значение динамического диапазона, свободного от шумов и паразитных составляющих (SFDR), 72дБц@125МВыб/с. Полоса пропускания входного сигнала 550МГц, дифференциальный размах полной шкалы входного сигнала 1,5Впп. Блок разработан по технологии КМОП 28нм, номинальные напряжения питания 0,9 В и 1,8 В. При работе блока на максимальной частоте дискретизации среднее значение рассеиваемой мощности 75мВт. Предусмотрена возможность работы на независимых частотах дискретизации для каждого из четырех каналов. Блок может быть использован в беспроводных приемниках, звуковых и ультразвуковых датчиках, ультразвуковой визуализации, медицинской диагностики. |
| 2025630117 | Четырехканальный 14-разрядный цифро-аналоговый преобразователь с частотой дискретизации 1ГВыб/с по технологии КМОП 28нм | Научно-исследовательский институт системных исследований Национального исследовательского центра «Курчатовский институт» | Сложно-функциональный блок для встроенного применения, имеющий в своем составе четыре цифро-аналоговых преобразователя (ЦАП) и один общий источник опорного тока. Выходной каскад каждого из четырех каналов ЦАП имеет дифференциальный токовый выход и работает на внешнюю резистивную нагрузку. Выходной ток программируется в диапазоне от 6 мА до 16 мА. Предусмотрена возможность запрограммировать разрядность 14, 12 или 10 бит. Максимальная частота дискретизации одного канала 1ГВыб/с. Для выходной частоты 40,1 МГц типичное значение отношения сигнал/шум, включая гармоники (SINAD), 69дБ@1ГВыб/с, типичное значение динамического диапазона, свободного от шумов и паразитных составляющих (SFDR), 75дБц@1ГВыб/с. При работе блока на максимальной частоте дискретизации среднее значение рассеиваемой мощности 190мВт. Каждый из четырех каналов блока конфигурируется независимо друг от друга, что обеспечивает для каналов индивидуальную частоту дискретизации, разрядность и величину выходного тока. Блок разработан по технологии КМОП 28нм, номинальные напряжения питания 0,9 В и 1,8 В. Блок может быть использован в беспроводных передатчиках, генераторах произвольной формы, системах с прямым цифровым синтезом. |
| 2025630240 | Управляющий микропроцессор для промышленного применения | Научно-исследовательский институт системных исследований Национального исследовательского центра «Курчатовский институт» | Управляющий микропроцессор для промышленного применения предназначен для построения систем автоматических систем управления технологическими процессами на его основе, включает от 2-х до 4-х процессорных ядер с архитектурой Комдив64 с частотой до 1300 МГц, разработан по технологии КМОП 28 нм |
| 2025630241 | Микропроцессор для обработки видеоинформации | Научно-исследовательский институт системных исследований Национального исследовательского центра «Курчатовский институт» | Микропроцессор предназначен для построения встраиваемых мультимедийных систем на его основе, включает от 2-х до 4-х процессорных ядер с архитектурой Комдив64 с частотой до 1300 МГц, блок коррекции изображения с камер, разработан по технологии КМОП 28 нм. |
| 2025630079 | ТОПОЛОГИЯ ИНТЕГРАЛЬНОЙ МИКРОСХЕМЫ К1881ВГ1Я ВЕРСИЯ 1.2. МИКРОКОНТРОЛЛЕР SSD NVME ДЛЯ SSD НАКОПИТЕЛЕЙ ИНФОРМАЦИИ | ООО «Мегаполис-Телеком регион» | Микросхема К1881ВГ1Я версия 1.2. предназначена для применения в пользовательских и промышленных, серверных, мобильных твердотельных накопителях информации объемом (емкостью) до 18 терабайта. Технология производства 28 nm. Корпус типа BGA. Диапазон рабочих температур от минус 45 до 85°С. |
| 2025630170 | Специализированный чиплет для решения сложных задач дискретной математики | ФОНД ПЕРСПЕКТИВНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ | Топология ИМС предназначена для изготовления кристаллов по технологии КМОП с проектными нормами 28 нанометров. Кристаллы предназначены для отработки технических решений построения высокопроизводительных специализированных систем в корпусе и вычислителя на их основе, оценки его характеристик и параметров, получения исходных данных для модернизации и улучшения характеристик схемы. Кристалл интегральной микросхемы представляет собой полупроводниковую пластину, где в качестве активных элементов выступают полевые транзисторы с технологическими нормами 28 нм. Кристалл характеризуется следующими параметрами: площадь 37,78 мм2, частота работы 800 МГц, мощность 15 Вт, количество выводов 1360 шт., шаг между выводами 162 мкм. Геометрические размеры ТИМС: 6,4889 × 5,8225 мм. Последовательность слоев топологических чертежей: NW, OD, РО, СО, M1 , VIA1, М2, VIA2, МЗ, VIA3, М4, VIA4, М5, VIA5, Мб, VIA6, М7, VIA7, М8, VIA8, М9, VIA9, MIO, RV, АР. |
| 2025630171 | Физический уровень интерконнекта по технологии 28 нм | ФОНД ПЕРСПЕКТИВНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ | Топология физического уровня интерконнекта представляет собой библиотеку элементов (ячеек) ввода-вывода и ячеек питания/земли для построения интерфейса. Построение интерфейса на кристалле производится путем стыковки широкими сторонами элементов библиотеки между собой в соответствии с требуемой конфигурацией, при этом каждый элемент может быть использован многократно. Топология разработана по технологии КМОП 28 нм и использует напряжения питания 0,8 В и 0,9 В. Библиотека предназначена для построения интерфейса обмена данными между чиплетами в рамках одной СБИС СвК. Последовательность слоев топологических чертежей: NW, OD, РО, РР, NP, RPO, СО, M1, V1, М2, V2, МЗ, V3, М4, V4, М5, V5, М6, V6, М7, V7, М8. |
| 2025630172 | Топология интегральной микросхемы «СБИС-П8» | ФОНД ПЕРСПЕКТИВНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ | Топология интегральной микросхемы «СБИС-П8» предназначена для использования при решении вычислительно-сложных задач дискретной математики в качестве отдельного модуля специализированных вычислительных комплексов. СБИС-П8 представляет собой систему в корпусе, состоящую из 8 П-Чиплетов. Размеры корпуса микросхемы - 40 × 40 мм. Каждый П-Чиплет имеет размеры 4,95 × 6,25 мм, изготавливается по технологии 28 им TSMC CRN28HPC+. Ключевые характеристики: 32 64-битных процессорных ядра с системой команд RV64G; периферийные интерфейсы для управления работой СБИС-П8; специализированные сопроцессоры для энергоэффективного решения вычислительно-сложных задач дискретной математики; производительность на целевой задаче (алгоритм «Кузнечик» ГОСТ Р 34.12-2015, длина блока открытого текста - 128 бит) - 20 Гбит/с; частота процессорных ядер - 800 МГц; энергопотребление не более 60 Вт. Последовательность слоев топологических чертежей: NW, OD, РО, СО, M1, VIA1, М2, VIA2, МЗ, VIA3, М4, VIA4, М5, V1A5, М6, VIA6, М7, VIA7, М8, V1A8, М9, VIA9, M10 RV, RDL. |
Источник: автор на основе данных Роспатента
Заключение
Подавляющее большинство ТИМС, зарегистрированных в 2025 г., ориентированы на промышленность, энергетическую, транспортную и коммуникационную инфраструктуру, коммунальное хозяйство и учреждения здравоохранения. В этих областях не особо актуальная миниатюризация, важнее – эффективность, надежность, ремонтопригодность. Не удивительно, что в ТИМС находят применение проверенные годами и отработанные поколениями инженеров технологические нормы микронных и субмикронных масштабов.
Что касается передовых изделий, в частности платформ с интегрированными средствами защиты информации, программно-аппаратных комплексов, серверов для систем хранения данных, систем искусственного интеллекта, здесь освоена технорма 28 нм, пока предельная в России.
Судя по открытой информации, российские разработчики пока не включаются в техническую гонку за нанометры и ангстремы.