Изобретение № 0002674409

Способ изготовления кристаллов силовых полупроводниковых приборов

Формула:

Способ изготовления кристаллов силовых полупроводниковых приборов, по которому в полупроводниковой (кремниевой) пластине формируют сплошной плоский р-п-переход, наносят сплошные омические контакты на планарную и непланарную поверхности пластины, отличающийся тем, что методом совмещенной двухсторонней фотолитографии на планарной и непланарной поверхностях пластины создают локальные омические контакты, защищают локальные омические контакты полностью, т.е. и по боковой части контактов, слоем стойкого к травителям кремния фоторезиста, например, типа ФП-25, ФП-50, разделяют механическим способом пластину на кристаллы, стравливают нарушенный слой кремния до границ защиты фоторезистом локальных омических контактов, защищают р-п...