Способ получения кремниевой пластины n-типа проводимости, содержащей структуру в виде сквозных эпитаксиальных каналов р-типа проводимости, включающий формирование алюминиевых зон на рабочей поверхности кремниевой пластины и термомиграцию расплава упомянутых алюминиевых зон через кремниевую пластину с формированием сквозных эпитаксиальных каналов р-типа проводимости, отличающийся тем, что упомянутые алюминиевые зоны формируют с помощью магнетронного осаждения и метода фотолитографии, при этом перед формированием упомянутых алюминиевых зон на поверхность, противоположную рабочей поверхности кремниевой пластины, наносят пленку нитрида кремния толщиной в диапазоне 0,2-0,5 мкм.
Спасибо! Мы перезвоним вам в ближайшее время!