Поиск по патентам
Полезная модель № 0000199159
Правообладатель:
федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Южный федеральный университет" (Южный федеральный университет) (RU)
Авторы:
Солодовник Максим Сергеевич (RU), Черненко Наталия Евгеньевна (RU), Балакирев Сергей Вячеславович (RU), Еременко Михаил Михайлович (RU), Агеев Олег Алексеевич (RU)
ОДНОФОТОННЫЙ ИЗЛУЧАТЕЛЬ НА ОСНОВЕ ОДИНОЧНОЙ КВАНТОВОЙ ТОЧКИ
Формула:
Однофотонный излучатель на основе одиночной квантовой точки, включающий полупроводниковую подложку GaAs, верхний и нижний высоколегированный эпитаксиальный контактный слой GaAs, верхний и нижний металлические контакты, верхний и нижний полупроводниковые распределенные брэгговские отражатели из N пар слоев GaAs/AlGaAs, между которыми расположена активная область на основе слоя GaAs, отличающийся тем, что активная область содержит одиночную квантовую точку InAs и заключена в оксидное кольцо (Al,Ga)Ox, задающее токовую и оптическую апертуры.
Получите полный доступ к профессиональному поиску по промышленным образцам
Больше результатов и деталей. Доступ к поиску по зарегистрированным базам данных
