ОДНОФОТОННЫЙ ИЗЛУЧАТЕЛЬ НА ОСНОВЕ ОДИНОЧНОЙ КВАНТОВОЙ ТОЧКИ

Правообладатель: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Южный федеральный университет" (Южный федеральный университет) (RU) Авторы: Солодовник Максим Сергеевич (RU), Черненко Наталия Евгеньевна (RU), Балакирев Сергей Вячеславович (RU), Еременко Михаил Михайлович (RU), Агеев Олег Алексеевич (RU)

Формула изобретения

Однофотонный излучатель на основе одиночной квантовой точки, включающий полупроводниковую подложку GaAs, верхний и нижний высоколегированный эпитаксиальный контактный слой GaAs, верхний и нижний металлические контакты, верхний и нижний полупроводниковые распределенные брэгговские отражатели из N пар слоев GaAs/AlGaAs, между которыми расположена активная область на основе слоя GaAs, отличающийся тем, что активная область содержит одиночную квантовую точку InAs и заключена в оксидное кольцо (Al,Ga)Ox, задающее токовую и оптическую апертуры.