Защитное покрытие полупроводникового прибора на основе кремния n-типа, содержащего рабочий переход и систему охранных колец и имеющего защитное покрытие непосредственно на переходе и охранных кольцах, отличающееся тем, что покрытие состоит из нескольких последовательно расположенных слоев: аморфного кремния толщиной 0,34-0,92 мкм и нитрида кремния толщиной 0,10-0,14 мкм, слоя пассивации в виде оксинитрида кремния толщиной 1,3-1,5 мкм, при этом слой аморфного кремния имеет непосредственный контакт с металлизацией, а также имеет в своем составе кислород, содержание которого составляет 17-28 атомных процентов от содержания кремния.
Спасибо! Мы перезвоним вам в ближайшее время!